存储器组件
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种存储器组件，其包括存储器结构。所述存储器结构包括衬底、沟道区、第一掺杂区、第二掺杂区、浮动栅极以及介电层。所述沟道区设置于所述衬底上。所述第一掺杂区所述与第二掺杂区设置于所述衬底上且分别位于所述沟道区的两侧。所述浮动栅极设置于所述沟道区上。所述介电层设置于所述浮动栅极和所述沟道区之间、所述浮动栅极和所述第一掺杂区之间以及所述浮动栅极和所述第二掺杂区之间。所述浮动栅极和所述第一掺杂区部分交叠，和/或所述浮动栅极和所述第二掺杂区不交叠，且在所述沟道区的长度方向上，所述浮动栅极的邻近所述第二掺杂区的侧壁和所述第二掺杂区与所述沟道区之间的边界隔开一段距离。
基本信息
专利标题 ：
存储器组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512549A
申请号 ：
CN202111265241.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏婷婷
申请人 ：
力旺电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202111265241.5
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L29/423
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20211028
申请日 : 20211028
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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