二位存储器件和运行二位存储器件的方法和电子组件
公开
摘要
提出一种具有层结构(10)的二位存储器件(1)。层结构(10)以此顺序包含底层(A)、含有具有至少一个极性官能团的手性化合物的分子层(C)和顶层(E)。顶层(E)是导电的和铁磁性的。分子层(C)的手性化合物充当穿过分子层(C)的电子的自旋过滤器。所述手性化合物具有柔性构象并具有构象柔性分子偶极矩。层结构(10)对从底层(A)流向顶层(E)的电流的电阻具有至少四种不同的状态，取决于顶层(E)的磁化和取决于分子层(C)的手性化合物的构象柔性偶极矩的取向。本发明的进一步方面涉及运行所述二位存储器件的方法和包含至少一个二位存储器件的电子组件。
基本信息
专利标题 ：
二位存储器件和运行二位存储器件的方法和电子组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631144A
申请号 ：
CN202080074214.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·科尔施S·雷希H·塞姆I·利伯曼M·托尔诺J·德鲁戈施神山卓也
申请人 ：
默克专利有限公司
申请人地址 ：
德国达姆施塔特
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
徐国栋
优先权 ：
CN202080074214.7
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16 H01L43/08 H01L43/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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