电子组件制造方法

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摘要

本公开涉及一种电子组件制造方法。该电子组件制造方法包括：制备包括导电构件的结构；在该结构的表面上形成包括与该导电构件电连接的第一部分和第二部分的种子金属层；在种子金属层的第二部分被第一构件覆盖的状态下，在种子金属层的第一部分上形成镀层；经由该镀层在种子金属层的第一部分上形成导电的第二构件；以及在该镀层被第二构件覆盖的状态下，蚀刻种子金属层的第二部分。

基本信息

专利标题：

电子组件制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108511415A

申请号：

CN201810165281.4

公开（公告）日：

2018-09-07

申请日：

2018-02-28

授权号：

CN108511415B

授权日：

2022-06-14

发明人：

数永友一

申请人：

佳能株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

魏小薇

优先权：

CN201810165281.4

主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L23/528 H01L23/535 H01L21/3205 H01L21/768