多层电子组件及其制造方法
公开
摘要
本公开提供了一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述内电极与所述介电层交替地堆叠；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述内电极包括Cu和Ni，并且在所述内电极的距与所述介电层的界面5nm深的区域中的基于重量比的Cu/Ni的变异系数(CV)值为25.0％或更小。
基本信息
专利标题 ：
多层电子组件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551094A
申请号 ：
CN202111105806.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵珉贞金昞建吴由弘
申请人 ：
三星电机株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
何巨
优先权 ：
CN202111105806.3
主分类号 ：
H01G4/012
IPC分类号 ：
H01G4/012 H01G4/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/005
电极
H01G4/012
非自持电极的形成
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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