多层陶瓷电子组件及其制造方法
授权
摘要
本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。
基本信息
专利标题 ：
多层陶瓷电子组件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112309717A
申请号 ：
CN202010690279.6
公开（公告）日 ：
2021-02-02
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
CN112309717B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
金泰成尹炯植申旴澈李濬云
申请人 ：
三星电机株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
何巨
优先权 ：
CN202010690279.6
主分类号 ：
H01G4/232
IPC分类号 ：
H01G4/232 H01G4/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/228
引出端
H01G4/232
电连接两层以上的叠层电容器或卷绕电容器的引出端
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 4/232
申请日 : 20200717
申请日 : 20200717
2021-02-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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