气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种制造方法和一种超级结MOSFET。超级结MOSFET包括在第一导电类型的重掺杂衬底上的第一导电类型的轻掺杂外延层，在外延层中形成深沟槽。所述深沟槽具有在所述深沟槽的表面上形成的具有厚度梯度的绝缘层。靠近深沟槽侧壁的外延层的一个或多个区域掺杂第二导电类型，其中第二导电类型与第一导电类型相反。最后，在外延层中形成MOSFET器件结构。
基本信息
专利标题 ：
气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530415A
申请号 ：
CN202111319000.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李文军陈凌兵管灵鹏王健
申请人 ：
万国半导体国际有限合伙公司
申请人地址 ：
加拿大安大略多伦多国王西街100号6000室（M5X1E2）
代理机构 ：
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 ：
张静洁
优先权 ：
CN202111319000.4
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L29/06 H01L21/223
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20211109
申请日 : 20211109
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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