一种掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法
公开
摘要

本发明公开了一种掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法,包括主炉室,所述主炉室的顶部固定有隔离阀,所述隔离阀的顶部固定有副炉室,所述主炉室内壁的底部通过支杆固定有石英坩埚,所述副炉室内壁的左侧滑动连接有滑板,所述滑板的右侧固定有石英钟罩,所述石英钟罩的内部设置有石英杯,所述石英杯的顶部固定有挂环,本发明涉及直拉法生产单晶硅设备技术领域。该掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法,通过驱动密封机构的设置,便于加强石英钟罩与上连接罩之间的密封性,使得气体掺杂剂不会从石英钟罩与上连接罩接触处泄漏,进而使得气体掺杂剂能顺利进入至石英坩埚中,进一步提高气体掺杂剂的利用率。

基本信息
专利标题 :
一种掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114574945A
申请号 :
CN202210078575.X
公开(公告)日 :
2022-06-03
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
蔡瑞刘进虎永慧
申请人 :
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 :
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
沈相权
优先权 :
CN202210078575.X
主分类号 :
C30B15/04
IPC分类号 :
C30B15/04  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料,例如用于n-p结的
法律状态
2022-06-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332