本发明公开了用于充电管理系统的防静电芯片，包括衬底、形成在衬底内间隔排列的第一沟槽，第一沟槽内填充有第一外延层，形成在第一沟槽底部的注入区，位于衬底上表面并覆盖第一沟槽两侧的氧化硅层和位于氧化硅层之间的开口，形成在氧化硅层上和开口内的第二外延层，间隔排列在第二外延层内的多个第二沟槽，第二沟槽侧壁、底部形成有扩散区，第二沟槽之间的距离小于开口的宽度，形成在第二外延层上表面、第二沟槽内的第一金属层，以及位于衬底下表面的第二金属层。本发明还提供用于充电管理系统的防静电芯片制备方法，第一沟槽放电面积大，提升了单位面积下的放电能力，减小了器件寄生电容，能够满足快充电源管理系统中高频率器件的保护需求。