具有集成磁通量聚集器的半导体设备及其产生方法
公开
摘要
本申请公开了具有集成磁通量聚集器的半导体设备及其产生方法。产生包括至少一个集成磁通量聚集器(IMFC)的半导体衬底的方法，包括以下步骤：a)提供具有上表面的半导体衬底；b)在所述上表面中制作至少一个空腔；c)沉积一层或多层的一种或多种材料，包括溅射至少一层软磁材料；d)移除位于所述至少一个空腔外部的基本上所有的软磁材料，同时留下位于所述至少一个空腔内部的至少一部分软磁材料。半导体衬底，包括至少一个集成磁通量聚集器。传感器设备或传感器系统、电流传感器设备或系统、位置传感器设备或系统、接近度传感器设备或系统、集成变压器设备或系统。
基本信息
专利标题 ：
具有集成磁通量聚集器的半导体设备及其产生方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114526758A
申请号 ：
CN202111392441.7
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·范德维尔Y·比多L·通贝兹
申请人 ：
迈来芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
瑞士伯韦
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈依心
优先权 ：
CN202111392441.7
主分类号 ：
G01D5/14
IPC分类号 ：
G01D5/14 G01R33/07 G01B7/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01D
非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试
G01D5/00
用于传递传感构件的输出的机械装置；将传感构件的输出变换成不同变量的装置，其中传感构件的形式和特性不限制变换装置；非专用于特定变量的变换器
G01D5/12
采用电或磁装置
G01D5/14
影响电流或电压的大小
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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