本发明公开了一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法，通过将硼铝共掺杂到碳化硅中，能够将碳化硅的光响应范围由紫外光区扩展到可见光区的同时，也提升了碳化硅在光照条件下的光生载流子浓度，从而进一步优化了其光响应能力，提高了视觉传感的灵敏度；此外，通过将氮掺杂到硼铝共掺杂的碳化硅中，能够增加碳化硅的结构不对称性，从而提升了其压电系数，增加其压电响应能力，进而提高了触觉传感的灵敏度；基于对硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理，可得到形貌不同的一维碳化硅纳米结构，使一体化传感器可应用于更广泛的环境中。总之，本发明提供了一种操作过程简单、实用性强的基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法。