一种高比表面积有序大介孔镓酸铜气敏材料及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种高比表面积有序大介孔镓酸铜气敏材料及其制备方法。其特点是：所述材料是由镓酸铜螺旋纳米线立方周期性排列而成，其中纳米线的直径为3‑5nm，所形成的介孔结构为10‑12nm的大介孔，比表面积为110‑150m2/g。本发明的尖晶石型(AB2O4)半导体材料镓酸铜具有高比表面积有序结构，对痕量丙酮气体检测还具有响应速度快，恢复时间短，工作温度低及气敏性能优异等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种高比表面积有序大介孔镓酸铜气敏材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114620763A
申请号 ：
CN202111418469.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖小勇邵晨杨晓梅王晓中郭茹马金苗
申请人 ：
宁夏大学
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市西夏区贺兰山西路489号
代理机构 ：
广州市一新专利商标事务所有限公司
代理人 ：
张芳
优先权 ：
CN202111418469.3
主分类号 ：
C01G15/00
IPC分类号 ：
C01G15/00 G01N27/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G15/00
镓、铟或铊的化合物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
