太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法,涉及光学技术领域,设计方法包括:步骤S1,计算竖直偏振太赫兹光束入射时,不同尺寸硅圆柱的透射振幅和相移;步骤S2,选出多个不同尺寸且高透射振幅的硅圆柱,选出的硅圆柱的相移能够覆盖‑180°到180°;步骤S3,将选出的不同尺寸的硅圆柱,根据离轴超透镜对应的相位调制函数,排布在硅基底上;步骤S4,在硅基底的另一侧设计减反射的硅圆柱阵列,其中的硅圆柱尺寸相同;由硅基底及其两侧的硅圆柱阵列组成太赫兹全硅离轴超透镜。本发明设计出的全硅超透镜能够实现将入射的太赫兹光束在离轴方向上进行聚焦,克服现有离轴超透镜存在的加工复杂的问题,填补太赫兹波段全硅离轴超透镜研究的空白。
基本信息
专利标题 :
太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114280770A
申请号 :
CN202111436725.1
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-11-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王晓东马维一崔慧源汪泽文
申请人 :
上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
申请人地址 :
上海市普陀区武宁路423号
代理机构 :
上海段和段律师事务所
代理人 :
祁春倪
优先权 :
CN202111436725.1
主分类号 :
G02B27/00
IPC分类号 :
G02B27/00 G02B3/00 G02B1/118
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B27/00
不能分入G02B 1/00-G02B 26/00,G02B 30/00的其它光学系统或其它光学仪器
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 27/00
申请日 : 20211129
申请日 : 20211129
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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