在上电期间限制调节器过冲
公开
摘要
本申请涉及在上电期间限制调节器过冲。在一些实例中，存储器装置可以基于通过外部电源向所述存储器装置的端子施加第二电压而在存储器装置的放大器的第一输入节点处产生第一电压。所述存储器装置可以在所述放大器的第二节点处产生与所述第一电压偏移的第三电压，其中所述第二节点与第一共源共栅晶体管的第一栅极和第二共源共栅晶体管的第二栅极耦合。所述存储器装置可以基于在所述放大器的所述第二节点处产生所述第三电压而激活所述放大器。
基本信息
专利标题 ：
在上电期间限制调节器过冲
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114596899A
申请号 ：
CN202111464365.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐飞褚炜路潘栋
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111464365.6
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C7/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
