一种用于测量和控制纳米团簇生长的方法
实质审查的生效
摘要

本发明的一种用于测量和控制纳米团簇生长的方法,基于测量装置,测量装置包括分别通过法兰接口与真空腔体连通的阳离子化装置,阴离子化装置,电场加速装置,隔膜型阀门,真空泵,四级质谱仪,高真空规,低真空规,飞行时间质谱仪,法拉第杯,隔膜型闸门。本发明可以有效的同时对不同带电情况且不同尺寸的纳米团簇进行筛选,进而可以实现对一定范围尺寸的纳米团簇薄膜的可控生长。本发明可以分别对带正电和负电属性的纳米团簇进行电荷和尺寸的筛选;在使用时间飞行质谱仪进行不同核质比团簇的筛选时,只能对带电的团簇进行筛选,本系统的其中一个优点在于可以将从喷嘴出射的电中性团簇电离化,这样就会增加筛选的团簇的数量,提高了镀膜效率。

基本信息
专利标题 :
一种用于测量和控制纳米团簇生长的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318280A
申请号 :
CN202111473248.6
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴鹏艾梅尔赵巍胜
申请人 :
北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
申请人地址 :
安徽省合肥市新站高新区文忠路999号
代理机构 :
合肥天明专利事务所(普通合伙)
代理人 :
苗娟
优先权 :
CN202111473248.6
主分类号 :
C23C14/54
IPC分类号 :
C23C14/54  C23C14/35  G01N27/62  G01N27/68  B82Y40/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/54
镀覆工艺的控制或调节
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/54
申请日 : 20211202
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332