基于SAM生长的纳米制造
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种基于成核SAM生长的纳米制造工艺、由此制备的构图基板、由此制备的纳米线或纳米线格栅以及包括它们的电子器件。特别是，提供一种工艺，其包括向基板表面的第一表面区域施加第一SAM－形成分子物质，以便在第一表面区域上提供限定支架图案的第一SAM；以及至少向未被第一SAM覆盖的所述基板表面的第二表面区域施加第二SAM－形成分子物质，由此在基板表面上选择性地形成与所述第一SAM的至少一个边缘相邻的第二复制SAM，其包括所述第二SAM－形成分子物质。
基本信息
专利标题 ：
基于SAM生长的纳米制造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088044A
申请号 ：
CN200580044332.9
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·布丁斯基R·B·A·夏普
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200580044332.9
主分类号 ：
G03F7/00
IPC分类号 ：
G03F7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
法律状态
2010-08-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101004078926
IPC(主分类) : G03F 7/00
专利申请号 : 2005800443329
公开日 : 20071212
号牌文件序号 : 101004078926
IPC(主分类) : G03F 7/00
专利申请号 : 2005800443329
公开日 : 20071212
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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