一种氧化铜纳米线阵列定域生长方法
授权
摘要
本发明公开了一种定域生长氧化铜纳米线阵列的方法。首先采用光刻或荫罩掩模依次在衬底上的特定区域内制备过渡层薄膜和铜薄膜，然后将其在氧气、空气或含有氧气的混合气体气氛下加热至350～700℃，并保温5分钟～6小时，最后降温。本方法不使用任何催化剂，可以方便地在衬底的所需的区域内制备出氧化铜纳米线阵列。制备出的氧化铜纳米线阵列可应用于显示器件、电光源、光电转换和热电转换器件等。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化铜纳米线阵列定域生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1843932A
申请号 ：
CN200610034006.6
公开（公告）日 ：
2006-10-11
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许宁生陈军张思密邓少芝佘峻聪
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
510275广东省广州市新港西路135号
代理机构 ：
广州新诺专利商标事务所有限公司
代理人 ：
华辉
优先权 ：
CN200610034006.6
主分类号 ：
C01G3/02
IPC分类号 ：
C01G3/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G3/00
铜的化合物
C01G3/02
氧化物；氢氧化物
法律状态
2008-07-16 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
