无催化先驱体浸渍裂解法原位生长碳化硅纳米线的方法
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摘要
本发明涉及一种无催化先驱体浸渍裂解法原位生长碳化硅纳米线的方法，将PCS和二甲苯混合溶液浸渍到SiCW预制体内，200℃固化1h，900～1100℃裂解2h得多孔SiCW/SiC；3.多孔SiCW/SiC的热处理：将多孔SiCW/SiC在1300～1500℃热处理2h，“两步法”指的是浸渍固化裂解和热处理。本发明利用固化裂解先将生长SiCNWs所不必要的气相除去，再利用热处理放出生长SiCNWs所必要的气相，同时利用SiCW预制体的两级孔隙结构极大的提高必要气相的过饱和度，从而实现了SiCNWs的PIP无催化原位生长。
基本信息
专利标题 ：
无催化先驱体浸渍裂解法原位生长碳化硅纳米线的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111205100A
申请号 ：
CN202010136681.X
公开（公告）日 ：
2020-05-29
申请日 ：
2020-03-02
授权号 ：
CN111205100B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
成来飞吕鑫元叶昉张立同
申请人 ：
西北工业大学
申请人地址 ：
陕西省西安市友谊西路127号
代理机构 ：
西北工业大学专利中心
代理人 ：
王鲜凯
优先权 ：
CN202010136681.X
主分类号 ：
C04B35/80
IPC分类号 ：
C04B35/80 C04B35/573 C04B35/571 B33Y70/00 B33Y80/00
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/71
含有宏观增强剂的陶瓷制品
C04B35/78
含非金属材料的
C04B35/80
纤维、单丝、晶须、薄片或其他类似材料
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-06-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/80
申请日 : 20200302
申请日 : 20200302
2020-05-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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