一种难熔超强金属单晶纳米线的原位生长方法
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摘要
本发明公开了一种大长径比、低缺陷浓度、超强金属钨单晶纳米线的原位生长方法。具体方法为：基于原位透射电子显微技术对两个相互接触的钨尖端施加电压产生电流，通过焦耳加热使金属局部熔化断开；熔融金属在两个断开尖端间的强电场中迅速固化，在电场作用下生成长径比大、缺陷密度极低的金属钨单晶纳米线。本发明实现一步法生长单根钨单晶纳米线，步骤简单、效率高(单根纳米线生长时间远小于1s)；制备得到的纳米线具有尺寸均匀、缺陷少、结晶度高、表面无污染、弹性应变大、强度高等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种难熔超强金属单晶纳米线的原位生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112853469A
申请号 ：
CN202011621078.7
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2020-12-31
授权号 ：
CN112853469B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
钟立李海
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区东南大学路2号东南大学电子学院
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
冯慧
优先权 ：
CN202011621078.7
主分类号 ：
C30B11/02
IPC分类号 ：
C30B11/02 C30B29/62 C30B29/02 B22F9/08 B22F1/00 B82Y30/00 B82Y40/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/02
不使用溶剂的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 11/02
申请日 : 20201231
申请日 : 20201231
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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