一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线。本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。