一种定位外延生长的壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列
授权
摘要
本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种定位外延生长的壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各层材料；一掩膜层，用于形成图型衬底，为纳米线生长提供孔隙阵列并覆盖住相邻纳米线之间的间隙，为SiO2材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs纳米线，与GaAs形成轴向异质结，为InxGa1‑xAs材料（0.01≤x≤1）；一GaAs层，与InGaAs形成轴向异质结；一GaAs层，径向生长，与InGaAs形成径向异质结；一GaAs层，轴向生长；一InGaAs纳米线，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长；一GaAs层，径向生长；一GaAs层，轴向生长。以此类推，外延生长多周期壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列。
基本信息
专利标题 ：
一种定位外延生长的壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020568787.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-16
授权号 ：
CN211654840U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
李林曾丽娜李再金赵志斌乔忠良李功捷杨红任永学刘国军曲轶彭鸿雁
申请人 ：
海南师范大学
申请人地址 ：
海南省海口市龙昆南路99号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020568787.2
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0304 H01L21/02 B82Y30/00
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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