一种定向生长的GeSe2纳米线及其...
实质审查的生效
摘要
本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种定向生长的GeSe2纳米线及其制备方法。具体技术方案为：一种定向生长的GeSe2纳米线的制备方法，在真空环境下，将硒粉和锗粉在进行分别加热的过程中进行化学气相淀积，记得定向生长的GeSe2纳米线；其中，化学气相淀积的生长基底置于锗粉上方。本发明解决了现有技术中GeSe2纳米线制备方法中工艺复杂，前驱体材料昂贵，制备方法所需时间长，反应条件难以控制，可复制性低等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种定向生长的GeSe2纳米线及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114368729A
申请号 ：
CN202210036202.6
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
毛宇亮邓纪财吴鑫
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘
代理机构 ：
成都坤伦厚朴专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨敬禹
优先权 ：
CN202210036202.6
主分类号 ：
C01B19/04
IPC分类号 ：
C01B19/04 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B19/00
硒；碲；其化合物
C01B19/04
二元化合物
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 19/04
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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