一种用于高硅奥氏体不锈钢的金相腐蚀剂与显色蚀刻方法
公开
摘要
本发明公开了一种用于高硅奥氏体不锈钢的金相腐蚀剂与显色蚀刻方法，属于高硅奥氏体不锈钢材料及金相分析技术领域。所述金相腐蚀剂包括腐蚀剂Ⅰ和腐蚀剂Ⅱ，腐蚀剂Ⅰ是由氢氟酸、丙三醇和硝酸按照(15～30)：(10～30)：10的体积比例混合而成；腐蚀剂Ⅱ是由硫酸和甲醇按照10：90的体积比例混合而成。使用时先将试样浸入腐蚀剂Ⅰ中浸泡2～6min，待表面变成磨砂状态，取出烘干；然后将样品在腐蚀剂Ⅱ中进行电解腐蚀，腐蚀电压为2～3V，电解时间为2～6min，腐蚀后的样品通过金相显微镜观察。该金相腐蚀剂及蚀刻方法可以清晰分辨高硅奥氏体不锈钢中析出相χ、σ、Cr3Ni5Si2相和碳化物。
基本信息
专利标题 ：
一种用于高硅奥氏体不锈钢的金相腐蚀剂与显色蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574864A
申请号 ：
CN202111491914.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁田陈思含李潇欢赵秀娟马颖澈
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人 ：
于晓波
优先权 ：
CN202111491914.9
主分类号 ：
C23F1/28
IPC分类号 ：
C23F1/28 C25F3/06 C23F17/00 G01N1/32 G01N1/30 G01N21/84
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/10
蚀刻用组合物
C23F1/14
含水组合物
C23F1/16
酸性组合物
C23F1/28
蚀刻铁族金属用的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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