以太网物理层芯片的接口浪涌保护电路
实质审查的生效
摘要
本发明涉及以太网物理层芯片的接口浪涌保护电路，包括：主共模扼流圈与变压器，第二MDIP接口连接位于网线接插口的第三MDIP接口，第二MDIN接口连接位于网线接插口的第三MDIN接口；次级共模扼流圈，包括连接以太网物理层芯片的MDIP接口与第一MDIP接口之间的第一PCB走线，以及连接以太网物理层芯片的MDIN接口与第一MDIN接口之间的第二PCB走线，第一PCB走线形成的第一电感和第二PCB走线形成的第二电感的电感极性不同。本发明通过设置第一PCB走线和第二PCB走线，形成次级共模扼流圈，产生欧姆损耗，在发生大的浪涌电流注入时，通过较高的共模阻抗，把注入电流堵在以太网物理层芯片以外。
基本信息
专利标题 ：
以太网物理层芯片的接口浪涌保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114362114A
申请号 ：
CN202111520750.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
车文毅裘伟斌
申请人 ：
裕太微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区科灵路78号4号楼201室
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
党蕾
优先权 ：
CN202111520750.8
主分类号 ：
H02H9/02
IPC分类号 ：
H02H9/02
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02H 9/02
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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