一种高导热厚膜基片及其制备方法，属于混合集成电路领域。包括厚膜基片本体、导带或阻带、芯片焊接区、导热凹孔、磁控溅射层、金锡焊料层、铜块、填充层、背面金属化层。导带或阻带、芯片焊接区位于厚膜基片本体正面表面，背面金属化层位于厚膜基片背面，导热凹孔位于厚膜基片背面正对表面芯片焊接区的区域，磁控溅射层为在陶瓷凹孔底部的耐高温金属膜层，金锡焊料层为铜块与凹孔底部的耐高温金属膜层之间的焊接层，铜块位于凹孔中，纳米金浆料填充层位于铜块与凹孔的间隙中。采用激光开凹孔。在不影响其电路载体功能的情况下，通过改变氧化铝厚膜基片的结构，从而增加厚膜基片的导热效率。广泛应用于功率混合集成电路中作高导热性能厚膜基片。