一种高可靠性厚膜基片
授权
摘要
一种高可靠性厚膜基片，属于厚膜混合集成电路领域。包括:基片衬底，导带，阻带，芯片粘接区，导带键合区，相关电子元器件焊接区，绝缘介质覆盖保护区；所述导带、阻带、芯片粘接区、导带键合区、相关电子元器件焊接区印刷在基片衬底上，阻带的两端联结不同的导带，导带键合区、相关电子元器件焊接区与相应的导带联结，芯片粘接区可以与相应的导带联结或为无联结的独立区域，绝缘介质覆盖保护区覆盖除粘接、键合及焊接区域的以外的区域。解决了现有厚膜混合集成电路批量生产的过程中，芯片、相关电子元器件与厚膜基片的粘接过程中质量控制困难的问题。广泛应用于高可靠混合集成电路技术领域。
基本信息
专利标题 ：
一种高可靠性厚膜基片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123110177.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
CN216597584U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
张超超唐拓刘金丽阳永衡彭婕董晶邓宁杨正清
申请人 ：
贵州振华风光半导体股份有限公司
申请人地址 ：
贵州省贵阳市乌当区新添大道北段238号
代理机构 ：
贵阳中工知识产权代理事务所
代理人 ：
刘安宁
优先权 ：
CN202123110177.1
主分类号 ：
H01L27/01
IPC分类号 ：
H01L27/01
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/01
只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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