一种掩膜基片和掩膜板
授权
摘要
本实用新型提供一种掩膜基片和掩膜板。该掩膜基片用于发光材料蒸镀，包括有效使用区和调整固定区，调整固定区围设于有效使用区外围，有效使用区与调整固定区采用相同材料且形成为一体，调整固定区的背离有效使用区的四周边缘均设置有待夹持结构，待夹持结构用于掩膜基片张网固定时被张网机夹持。该掩膜基片张网时在四周各个方向上都能拉伸控制，从而避免掩膜基片张网时某个方向不被拉伸控制所导致的掩膜基片在该方向上出现内缩现象，同时，还能确保掩膜基片在张网时焊接热应力的作用下，不会产生整体偏移，而且能确保掩膜基片在清洗、蒸镀过程中不容易受到损伤，提高了掩膜基片的张网成功率、张网精度和蒸镀时的工艺精度。
基本信息
专利标题 ：
一种掩膜基片和掩膜板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922014947.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-20
授权号 ：
CN211367702U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
虞阳张浩瀚
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜春咸
优先权 ：
CN201922014947.9
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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