基片到掩膜对准和紧固系统
授权
摘要
本发明是一种用于提供基片到掩膜对准机构、紧固机构和温度控制机构的基片架系统和方法。该基片架系统适用于自动阴影掩膜真空沉积处理。该基片架系统包括系统控制器和被放置在磁性卡盘组件与掩膜架组件之间的基片。该磁性卡盘组件包括磁性卡盘、热电器件、多个热传感器和多个光源。该掩膜架组件包括阴影掩膜、掩膜架、运动控制系统和多个摄像头。本发明的基片架系统提供基片和阴影掩膜之间的紧密接触来避免蒸发物材料进入其间间隙的可能性。
基本信息
专利标题 ：
基片到掩膜对准和紧固系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101084326A
申请号 ：
CN200580036251.4
公开（公告）日 ：
2007-12-05
申请日 ：
2005-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托马斯·P·布罗迪保罗·R·马姆伯格杰弗里·W·康拉德
申请人 ：
阿德文泰克全球有限公司
申请人地址 ：
英属维尔京群岛托托拉岛
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈源
优先权 ：
CN200580036251.4
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2011-05-25 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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