厚膜电路的基片及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种厚膜电路的基片制造方法及其产品，它用粉状高岭土为原料，经模具在压力机上压制成有安装大功率元件的插孔和形状的坯块，经900—1600℃烧结后制成，由于厚膜电路和大功率元件可装在一块基片上，克服了现有厚膜电路安装大功率元件必需用引线引出，因而集成度不高，器件可靠性差的缺点。
基本信息
专利标题 ：
厚膜电路的基片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1086631A
申请号 ：
CN92112438.4
公开（公告）日 ：
1994-05-11
申请日 ：
1992-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
葛少明李正忠
申请人 ：
鄂州市钟厂
申请人地址 ：
436001湖北省鄂州市樊口东路35号
代理机构 ：
湖北省专利事务所
代理人 ：
朱必武
优先权 ：
CN92112438.4
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/01 H05K1/03 C04B33/04 C04B33/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
1996-01-17 ：
专利申请的视为撤回
1994-05-11 ：
公开
1993-12-01 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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