基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法,包括基底、半导体薄膜、两个电极,基底贴合在半导体薄膜下方,半导体薄膜上左右两端各有一电极,半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜,半导体薄膜形成光热电转化层。探测器受光激发,电子跃迁到光热电转化层导带边上方,具有过剩能量的热载流子在皮秒量级时间内通过电子‑电子相互作用产生热电子,电极两端形成较稳定的温度梯度,以纳秒尺度的时间量级在材料两端形成稳定的电场,从而实现材料无需外部供电的自驱动超快探测。相比于现有光热电探测器,本发明不仅简化了制备工艺,缩小了器件体积,降低了大规模集成的难度,还提高了量子效率,缩短了响应时间。
基本信息
专利标题 :
基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361275A
申请号 :
CN202111558649.1
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王启胜王立吴形吴识腾王震东
申请人 :
南昌大学
申请人地址 :
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
代理机构 :
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 :
王焕巧
优先权 :
CN202111558649.1
主分类号 :
H01L31/032
IPC分类号 :
H01L31/032 H01L31/036 H01L31/0392 H01L31/09 H01L31/18
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/032
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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