一种巨磁电阻线性传感器实现方法
公开
摘要

一种巨磁电阻线性传感器实现方法,属于电子材料与元器件技术领域。首先,在压电基片的上下表面制备导电层,作为对压电基片施加电压的上电极和下电极;然后,在诱导磁场下、采用薄膜沉积工艺在上电极表面依次沉积第一隔离层、反铁磁层、第二铁磁层、第二隔离层、第一铁磁层和保护层;最后,在压电基片的上下电极施加电压,使反铁磁层的磁矩转动,并带动第二铁磁层的磁矩共同转动,则第一铁磁层和第二铁磁层的磁矩呈现夹角,完成巨磁电阻线性传感器的制备。本发明巨磁电阻线性传感器实现方法,具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点。

基本信息
专利标题 :
一种巨磁电阻线性传感器实现方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114280513A
申请号 :
CN202111560518.7
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
唐晓莉马成鑫姜杰
申请人 :
电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司
申请人地址 :
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 :
电子科技大学专利中心
代理人 :
吴姗霖
优先权 :
CN202111560518.7
主分类号 :
G01R33/09
IPC分类号 :
G01R33/09  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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