利用巨磁致电阻元件的磁传感器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种磁传感器及其制造方法。该磁传感器包括单衬底、由包括单层被钉扎固定磁化层的自旋阀膜形成的传统GMR元件、以及由包括多层被钉扎固定磁化层的合成自旋阀膜形成的SAF元件。当要作为该传统GMR元件的该自旋阀膜和要作为该SAF元件的该合成自旋阀膜经受在高温施加的取向在单方向的磁场时，它们成为其磁场探测方向彼此反平行的巨磁致电阻元件。因为要作为该传统GMR元件和该SAF元件的膜可以彼此接近地设置，所以具有其磁场探测方向彼此反平行的巨磁致电阻元件的该磁传感器可以是小的。
基本信息
专利标题 ：
利用巨磁致电阻元件的磁传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755387A
申请号 ：
CN200510107194.6
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
涌井幸夫大村昌良
申请人 ：
雅马哈株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510107194.6
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09 H01L43/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2020-09-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01R 33/09
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20110727
终止日期 : 20190928
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20110727
终止日期 : 20190928
2011-07-27 ：
授权
2006-05-31 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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