一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法，属于光纤传感器技术领域。本发明解决了现有光纤声压传感器由于初始腔长相位差不准确，进而导致传感器解调效果不好的问题。本发明传感器包括两个光纤组件和夹层结构，夹层结构为SOI‑空气‑硅的夹层结构，具体的支撑结构层为框架结构与第二Si基层形成第一方形槽，SiO2层和第一Si层上刻蚀有方形通孔，该方形通孔与SOI衬底层构成第二方形槽，两个方形槽连通在夹层结构内形成密封腔。两个方形槽的存在使传感器具有两个长度不等的F‑P腔，继而使两路干涉信号相位差保持恒定，从而获得两路正交信号，后续结合双F‑P腔正交测量法，实现对声压信号的精准测量。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114279551A
申请号 ：
CN202111562112.2
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘彬董喜来钟志单明广于蕾刘磊
申请人 ：
哈尔滨工程大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号
代理机构 ：
哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
代理人 ：
王芳
优先权 ：
CN202111562112.2
主分类号 ：
G01H9/00
IPC分类号 ：
G01H9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01H
机械振动或超声波、声波或次声波的测量
G01H9/00
应用对辐射敏感的装置，例如光学装置，测量机械振动或超声波、声波或次声波
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01H 9/00
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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