MEMS光纤声振动传感器及其制备方法、性能标定系统和标定...
公开
摘要
本发明公开了一种MEMS光纤声振动传感器及其制备方法、性能标定系统和标定方法。传感器以硅晶片为基底，在硅晶片上部有二氧化硅层和氮化硅层，在二氧化硅层下部有金层；超小光纤镜头封装在陶瓷插芯内。本发明标定系统包括扫频激光器、宽带50/50熔融耦合器、环形器、标准声压计、MEMS光纤声振动传感器、扬声器、信号发生器、光纤准直器、平面反射镜、光电平衡探测器、数据采集卡、计算机。标定方法：将传感器和标准声压计同距离正对扬声器，通过调节信号发生器输入信号电压，发射声压大小不同的声音信号，标准声压计用于检测传感器所受声压大小，信号解调后得到传感器薄膜振动幅值，获得传感器薄膜振动幅值与声压大小关系，得到传感器的声压灵敏度标定函数。本发明可实现干涉光信号的解调，达到还原声音信号的目的，适用于电磁干扰、易燃易爆、狭长深孔空间等恶劣环境的声音信息采集。
基本信息
专利标题 ：
MEMS光纤声振动传感器及其制备方法、性能标定系统和标定方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114509149A
申请号 ：
CN202210082560.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王驰陈伟
申请人 ：
上海大学
申请人地址 ：
上海市宝山区上大路99号
代理机构 ：
上海上大专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
何文欣
优先权 ：
CN202210082560.0
主分类号 ：
G01H9/00
IPC分类号 ：
G01H9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01H
机械振动或超声波、声波或次声波的测量
G01H9/00
应用对辐射敏感的装置，例如光学装置，测量机械振动或超声波、声波或次声波
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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