一种用于优化晶圆激光打标后表面颗粒控制的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于优化晶圆激光打标后表面颗粒控制的方法。激光打标其原理是通过高能量的激光束聚焦在材料表面上,使表面材料瞬间熔融，甚至气化,形成凹坑，由凹坑组成指定的标识性图案。打标的副产物则会堆积在凹坑的四周，现有激光打标即使配备了颗粒清理装置，能实时吸走大部分打标时溅起的颗粒，但是仍不能避免有部分颗粒掉落在打标处。颗料控制是晶片加工过程、器件制造过程中重要的一个环节,打标后清洗是去除打标颗粒必不可少的步骤。本发明涉及打标机与打标后清洗的配合作业，最大限度的避免打标不稳定和清洗不稳定引起的打标颗粒残留问题，以达到颗粒控制的目标。
基本信息
专利标题 ：
一种用于优化晶圆激光打标后表面颗粒控制的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284175A
申请号 ：
CN202111565493.X
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盛况韦丽明任娜王珩宇
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202111565493.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B08B3/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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