一种刻蚀仿真模型中反射通量求解方法
实质审查的生效
摘要

本发明涉及微电子加工技术领域,具体涉及一种刻蚀仿真模型中反射通量求解方法,包括构造衬底轮廓线并提取衬底轮廓;基于衬底轮廓求解衬底表面的离子直接刻蚀速率和离子刻蚀反射通量;将离子直接刻蚀速率和离子刻蚀反射通量相加,得到位点刻蚀速率;配合求解静态水平集方程将位点刻蚀速率拓展到二维平面,得到拓展刻蚀速率;基于拓展刻蚀速率更新求解静态水平集方程,得到刻蚀轮廓;循环上述步骤得到刻蚀仿真形貌,可以根据当前的衬底轮廓,求解位点刻蚀速率,仿真得到精确的刻蚀轮廓,解决现有的刻蚀模拟方法因计算量大降低了仿真的精确度的问题。

基本信息
专利标题 :
一种刻蚀仿真模型中反射通量求解方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114266162A
申请号 :
CN202111594256.6
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李晨韦亚一陈睿邵花严琦
申请人 :
南京诚芯集成电路技术研究院有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨路320号科创一号大厦B座21楼
代理机构 :
南京苏博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
柳强
优先权 :
CN202111594256.6
主分类号 :
G06F30/20
IPC分类号 :
G06F30/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20211224
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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