温度调整方法以及压力烤箱
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种温度调整方法，包括：提供压力烤箱。压力烤箱包括腔体、设置于腔体内的冷却器及连通于腔体的进气单元。运行进气单元，以对腔体充气，而使腔体内的气压大于标准大气压。腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量。当腔体内的气体分子数量大于腔体在标准大气压状态的气体分子数量时，运行位于腔体内的冷却器，以对腔体进行降温程序，以降低腔体内的温度。本发明同时还公开一种压力烤箱。
基本信息
专利标题 ：
温度调整方法以及压力烤箱
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284179A
申请号 ：
CN202111596738.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张景南
申请人 ：
南京屹立芯创半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2580室
代理机构 ：
苏州禾润科晟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
勾昌羽
优先权 ：
CN202111596738.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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