一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法
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摘要
本发明提供了一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，包括水冷盘、置于所述水冷盘上的籽晶模壳以及设于所述籽晶模壳内的籽晶，所述籽晶上表面与所述籽晶模壳顶部内壁之间留有一空腔，所述籽晶模壳顶部连通有螺旋段，所述螺旋段与所述空腔连通；所述水冷盘内开设有第一气流通道，所述籽晶中开设有第二气流通道，所述第二气流通道一端与所述第一气流通道连通，另一端与所述空腔连通；其可在在籽晶表面形成一层保护性的气膜保护籽晶表面，有效避免表面产生沉积物，从而减少夹杂或杂晶产生。
基本信息
专利标题 ：
一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113976864A
申请号 ：
CN202111626154.8
公开（公告）日 ：
2022-01-28
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN113976864B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
宋扬李小政王远斌张凡李海军王勇杜小兵
申请人 ：
成都航宇超合金技术有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区内
代理机构 ：
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陶红
优先权 ：
CN202111626154.8
主分类号 ：
B22D27/04
IPC分类号 ：
B22D27/04 C30B35/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B22
铸造；粉末冶金
B22D
金属铸造；用相同工艺或设备的其他物质的铸造
B22D27/00
当金属熔融或延伸时，在铸型中处理金属
B22D27/04
影响金属温度，如用加热或冷却铸型
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2022-02-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B22D 27/04
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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