一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片
公开
摘要
本发明提供一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片，包括：步骤S1，外置闪存芯片读取待储存数据，将待储存数据中的多个数据块依次写入存储区域，并在每个数据块写入完成后分别向存储区域中写入一操作标记；步骤S2，外置闪存芯片在每次异常掉电后上电时，根据操作标记判断存储区域中写入的各数据块是否按照一预设顺序排列形成一数据序列：若是，则转向步骤S3；若否，则根据操作标记将各数据块按照预设顺序调整，随后转向步骤S3；步骤S3，读取数据序列中最后一次写入的操作标记对应的数据块，并根据数据块匹配得到待储存数据中尚未写入的各数据块作为待储存数据，随后返回步骤S1。有益效果是提高异常掉电后重新上电的数据恢复成功率。
基本信息
专利标题 ：
一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530169A
申请号 ：
CN202111644916.7
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐捷余一凡肖潇蒋叶娣
申请人 ：
上海宏力达信息技术股份有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区九亭中心路1158号11幢101、401室
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
吴轶淳
优先权 ：
CN202111644916.7
主分类号 ：
G11C5/14
IPC分类号 ：
G11C5/14 G11C8/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/14
电源装置
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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