大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备
公开
摘要
本发明提供了一种大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备，涉及大功率芯片试验的技术领域，包括：获取第一温度传感器采集的第一环境温度，其中，第一环境温度用于表征试验炉的炉内温度；调节出风口的温度，以使第一环境温度符合目标环境温度，其中，目标环境温度为用于试验的目标环境温度曲线中当前时刻对应的环境温度；对在第一环境温度下的每个待试验大功率芯片的工作功率进行监测；根据功率监测结果和芯片周边环境温度每个试验芯片所处的环境温度进行精确控制，确保所有实验的芯片都能模拟典型应用情况下的最恶劣情况，验证在高低温极端温度下和高低温度交替的情况下芯片能否承受应用通电断电和正常工作，验证芯片的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
大功率芯片的功率温度循环试验方法、装置和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114295961A
申请号 ：
CN202111645898.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁兆达江红郑朝晖
申请人 ：
上海季丰电子股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祖冲之路1505弄55号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张萍
优先权 ：
CN202111645898.4
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
