一种液晶材料双折射率计算方法及一种太赫兹大双折射率液晶材...
公开
摘要
本发明公开了一种液晶材料双折射率计算方法及一种太赫兹大双折射率液晶材料的分子设计方法;涉及液晶材料技术领域;解决现有技术中太赫兹液晶材料的双折射率计算方法不够精确,导致太赫兹大双折射率液晶材料的分子设计方法不够精确的技术问题;所述液晶材料双折射率计算方法基于改进后的Vuks方程,不依赖任何经验参数,更加精确;所述分子设计方法包括以下步骤:建立待计算液晶材料的分子结构并进行DFT基态优化得到稳定构型,以此为基础进行Vuks计算和极化率密度分析,进而设计出具有大双折射率的液晶材料;所述液晶材料双折射率计算方法和所述分子设计方法适用于设计在太赫兹波段具有较大双折射率Δn的液晶材料,精确性较高,实用性较强。
基本信息
专利标题 :
一种液晶材料双折射率计算方法及一种太赫兹大双折射率液晶材料的分子设计方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114300070A
申请号 :
CN202111647582.9
公开(公告)日 :
2022-04-08
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈泽章苏芸遆瑞霞石庆民王雁
申请人 :
新乡学院
申请人地址 :
河南省新乡市红旗区金穗大道191号
代理机构 :
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 :
贺迎迎
优先权 :
CN202111647582.9
主分类号 :
G16C60/00
IPC分类号 :
G16C60/00 G16C20/10 G16C10/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G16
特别适用于特定应用领域的信息通信技术
G16C
计算化学;化学信息学; 计算材料科学
G16C60/00
计算机材料科学,即专门用于研究与其设计、合成、加工、表征或利用相关的材料或现象的物理或化学特性的ICT
法律状态
2022-04-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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