超硬纯同位素10BP半导体微纳米线...
实质审查的生效
摘要
本发明属于磷化硼材料制备技术领域，具体涉及超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备，本发明利用VLS生长机制成功合成了超长超硬同位素纯10BP微纳米线，克服了硼的高熔点与磷的低升华温度之间的热力学矛盾。具体是以镍粉为催化剂，以富含红磷和同位素的10B粉为前驱体，合成得到超长超硬10BP微纳米线。与在较低温度下合成的超硬材料相比，10BP微纳米线表现出优异的性能，其长度达到1.1cm，硬度相当高，达到了40GPa的超硬阈值(41GPa)。此外，将10BP微纳米线集成到探测器中，器件表现出良好的光响应和压电特性，证明了该材料在光电、应变传感和固态半导体核辐射检测中的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114314505A
申请号 ：
CN202111651342.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑伟陆雪芳宋晓宇黄丰
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人 ：
高冰
优先权 ：
CN202111651342.6
主分类号 ：
B82B3/00
IPC分类号 ：
B82B3/00 B82Y40/00 H01L31/0352 H01L31/08
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B82B 3/00
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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