一种不饱和磁体模块的结构及方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于磁体制造技术领域，公开了一种不饱和磁体模块的结构及方法，所述磁体模块的制备步骤如下：a、将磁体通过切割装置进行切割，切割装置为激光切割装置或机械切割装置，将磁体切割成尺寸为(0.1mm‑1mm)X(0.1mm‑1mm)X(1mm‑10mm)的且呈条状的切割磁体；b、然后将切割磁体置入安装卡槽中并使得所嵌入磁体模块框架中的切割磁体在纵向和横向均同极性布置；c、然后将磁体模块框架插入切割磁体放置区中并将磁体模块框架沿圆周环形布置，然后通过密封盖将割磁体放置区进行封闭，构成磁体模块；然后再整体对磁体模块进行充磁，本发明通过将磁体进行切割，然后对切割后的磁体根据合理的排布进行重新排布，并对切割后的磁体重新充磁，使得获得比原有单个磁体更高的磁场利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种不饱和磁体模块的结构及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512322A
申请号 ：
CN202111657902.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康双双
申请人 ：
康双双
申请人地址 ：
河南省郑州市金水区政四街1号院2号楼
代理机构 ：
北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张丽娜
优先权 ：
CN202111657902.9
主分类号 ：
H01F41/02
IPC分类号 ：
H01F41/02 H01F13/00 H01F7/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/02
用于制造磁芯、线圈或磁体的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 41/02
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
