消除重掺硼小角晶界的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种消除重掺硼小角晶界的方法，所属重掺硼单晶硅加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：确认发生小角晶界不良的背景与原理。第二步：重掺硼单晶硅制备时，采用掺杂浓度小于9.05×1019cm3。第三步：接着提高单晶硅的电阻，减少硅原子被硼原子替代，同时降低拉速，使得界面变成凸界面。第四步：在温度的控制上，增大等径时的加热器功率，并去除热屏夹层，降低晶体的生长速度，延长应力释放时间。具有质量稳定性好、加工难度小和报废率低的特点。解决了产生重掺硼小角晶界的问题。
基本信息
专利标题 ：
消除重掺硼小角晶界的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481297A
申请号 ：
CN202111658533.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏兴彤徐慶晧王忠保芮阳马成
申请人 ：
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 ：
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈相权
优先权 ：
CN202111658533.5
主分类号 ：
C30B15/04
IPC分类号 ：
C30B15/04 C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料，例如用于n-p结的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/04
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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