一种钕铁硼厚磁体的多层晶界扩散方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种钕铁硼厚磁体的多层晶界扩散方法。本发明粉末成形之前,在粉末填充模具时分层添加扩散剂,即进行多层扩散,实现磁体成型的同时进行扩散处理,简化了生产工艺和能源消耗。与传统的表面晶界扩散相比,使用相同扩散剂质量进行扩散的情况下,矫顽力提升效果更好。磁体厚度继续增加,将扩散剂的层数做一定的增加可以使磁体达到期望的矫顽力强化效果。在厚磁体中,扩散剂在钕铁硼粉末中预置分层,减小了元素扩散的距离,扩散通道更加充足,有效保证了扩散效果。因此,分层扩散技术可以突破晶界扩散磁体厚度的限制,将晶界扩散工艺与成型或热加工工艺结合在一起,生产工艺简单,能源消耗低。

基本信息
专利标题 :
一种钕铁硼厚磁体的多层晶界扩散方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114334415A
申请号 :
CN202111570298.6
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘仲武张家胜廖雪峰余红雅钟喜春邱万奇
申请人 :
华南理工大学
申请人地址 :
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 :
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 :
殷妹
优先权 :
CN202111570298.6
主分类号 :
H01F41/02
IPC分类号 :
H01F41/02  H01F1/057  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法;专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/02
用于制造磁芯、线圈或磁体的
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 41/02
申请日 : 20211221
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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