一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种提高R‑T‑B磁体扩散性能的晶界扩散方法：在R‑T‑B磁体基体表面覆盖扩散源，所述扩散源为重稀土，扩散源的质量为磁体基体质量的0.2％～4％；将覆盖有扩散源的磁体进行晶界扩散处理，扩散温度在800℃～1000℃，扩散时间1h～48h，在扩散的前1～3h内，调节绝对真空度在1.0*10‑3～4.6*10‑3Pa之间的高真空；之后将绝对真空度调节为3.6kpa与7.6kpa之间的低真空，晶界扩散后，冷却至室温再升温进行回火处理，制得晶界扩散后的R‑T‑B磁体。本发明可以提高磁体的Hcj且减少剩磁降低量。
基本信息
专利标题 ：
一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464444A
申请号 ：
CN202210084459.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱啸航达明花章兆能陈彪马瑜琳付松
申请人 ：
浙江英洛华磁业有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市东阳市横店电子工业园浙江英洛华磁业有限公司
代理机构 ：
杭州斯可睿专利事务所有限公司
代理人 ：
林君勇
优先权 ：
CN202210084459.9
主分类号 ：
H01F41/02
IPC分类号 ：
H01F41/02 H01F1/057
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/02
用于制造磁芯、线圈或磁体的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 41/02
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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