本申请实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种非对齐存储结构的闪存设备及数据存储方法，该非对齐存储结构的闪存设备，包括：控制器，通过多个通道连接多个晶片封装，其中，每一通道连接至少两种类型的晶片封装结构，每一种晶片封装结构包括至少一个晶片封装，每一个晶片封装包括至少一个逻辑单元。通过设置每一通道连接至少两种类型的晶片封装，使得闪存设备呈现非对齐结构，从而实现灵活的容量需求以及多样化的容量规格，并且还可以增加预留空间，以提高闪存设备的性能并延长闪存设备的寿命。