CIS辐照后像素单元电荷转移效率的测试系统及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种CIS辐照后像素单元电荷转移效率的测试系统及方法，该方法能够对辐照后CMOS图像传感器单个特定像素单元的电荷转移效率进行测量，为辐照后CMOS图像传感器像素单元电荷转移损伤评估提供技术支撑。该测试系统包括控制计算机、直流电源、暗箱、测试板、FPGA控制模块和光源；暗箱内设置有温度控制装置，用于控制测试时的温度；测试板设置在暗箱底端，其上分别安装有FPGA控制模块和CMOS图像传感器；光源设置在暗箱的顶端，且设置在CMOS图像传感器的正上方；直流电源设置在暗箱外侧，其输出端与测试板连接，用于给CMOS图像传感器和光源提供电信号。控制计算机设置在暗箱外侧，用于CMOS图像传感器的输出信号采集和处理。
基本信息
专利标题 ：
CIS辐照后像素单元电荷转移效率的测试系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114554183A
申请号 ：
CN202111667697.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
薛院院王祖军陈伟刘敏波姚志斌何宝平盛江坤马武英缑石龙
申请人 ：
西北核技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市灞桥区平峪路28号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
郑丽红
优先权 ：
CN202111667697.4
主分类号 ：
H04N17/00
IPC分类号 ：
H04N17/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 17/00
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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