一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法
公开
摘要
本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法；通过两对超声发生器在反应釜内形成了驻波场，使得带电金属粒子在驻波场中停滞在各个驻波节点上；通过在两个石墨电极中通入交变电流，使反应釜中产生交变电场，使得带电金属粒子沿交变电场力的方向带动腐蚀液中的酸与硅片发生刻蚀反应；通过改变超声波的频率和幅值改变驻波场中驻波节点的位置，从而改变带电金属粒子催化刻蚀反应的位置；通过改变交变电流的频率与幅值，改变硅片表面微结构的腐蚀深度；通过改变交变电场力的方向，改变硅片表面微结构的倾斜度。本发明通过调节超声波和交变电流的频率和幅值，能实现按预设图案对硅片表面进行刻蚀；提高了硅片的刻蚀效率和精确度。
基本信息
专利标题 ：
一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300353A
申请号 ：
CN202111668040.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
巢炎黄伟业李彬
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
周雷雷
优先权 ：
CN202111668040.X
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 B81C1/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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