一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备,电机驱动两石墨电极旋转;三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面和两侧壁面上;一个超声发生器装配在釜端盖的下表面上。本发明通过两对超声发生器在硅片表面形成驻波场,使带电金属粒子停滞在驻波场的驻波节点上;石墨电极通电使带电金属粒子沿交变电场力方向运动,团聚在带电金属粒子周围的腐蚀液中的酸在带电金属粒子带动下与硅片表面反应;通过改变超声波频率和幅值改变驻波场中驻波节点位置,改变在硅片上的刻蚀位置;电机调整两石墨电极位置,使交变电场力方向改变;改变交变电流的频率和幅值,调整微结构刻蚀深度。本发明能按预设图案对硅片进行刻蚀。

基本信息
专利标题 :
一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114348957A
申请号 :
CN202111661815.0
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
巢炎黄伟业李彬
申请人 :
杭州电子科技大学
申请人地址 :
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 :
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 :
周雷雷
优先权 :
CN202111661815.0
主分类号 :
B82B3/00
IPC分类号 :
B82B3/00  B82Y40/00  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构;其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B82B 3/00
申请日 : 20211231
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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