大面阵纳米针结构制备方法及装置
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摘要

本发明公开了一种大面阵纳米针结构制备方法及装置,包括:利用张力梯度驱动微、纳米颗粒在液气界面形成大面积自组装结构,并将其转移至硅基板表面。利用氧气反应离子刻蚀技术对大面积自组装结构中的颗粒直径进行调整,以形成非紧密排列的周期性微、纳米颗粒结构。利用电子束蒸镀在非紧密排列的周期性颗粒结构表面制备镀金层。随后利用超声清洗的方式去除颗粒以形成镀金层、硅基底交替排布的周期性表面。将基板放置于氢氟酸/双氧水混合溶液中进行金催化刻蚀以形成纳米柱结构。最后利用六氟化硫反应离子刻蚀技术对纳米柱结构进行非均匀刻蚀以形成大面阵纳米针结构。该方法制备面积大,制备精度高,形状可控性强、制备稳定性高。

基本信息
专利标题 :
大面阵纳米针结构制备方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113213421A
申请号 :
CN202110517417.5
公开(公告)日 :
2021-08-06
申请日 :
2021-05-12
授权号 :
CN113213421B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
汪家道马原李轩
申请人 :
清华大学
申请人地址 :
北京市海淀区清华园
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘梦晴
优先权 :
CN202110517417.5
主分类号 :
B82B3/00
IPC分类号 :
B82B3/00  B82Y40/00  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构;其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-08-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B82B 3/00
申请日 : 20210512
2021-08-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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